三星8nm工艺和台积电7nm工艺区别为：沟道长度不同、单位密度不同、功耗不同。
一、沟道长度不同
1、三星8nm工艺：三星8nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度比台积电7nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度要短。
2、台积电7nm工艺：台积电7nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度比三星8nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度要长。
二、单位密度不同
1、三星8nm工艺：三星8nm工艺所能达到的单位密度比台积电7nm工艺所能达到的单位密度要高。
2、台积电7nm工艺：台积电7nm工艺所能达到的单位密度比三星8nm工艺所能达到的单位密度要低。
三、功耗不同
1、三星8nm工艺：三星8nm工艺的芯片功耗比台积电7nm工艺的芯片功耗要高。
2、台积电7nm工艺：台积电7nm工艺的芯片功耗比三星8nm工艺的芯片功耗要低。